SPD07N20
Infineon Technologies
Deutsch
Artikelnummer: | SPD07N20 |
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Hersteller / Marke: | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 200V 7A TO252-3 |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Vgs (Max) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | PG-TO252-3 |
Serie | SIPMOS® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 400mOhm @ 4.5A, 10V |
Verlustleistung (max) | 40W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 530 pF @ 25 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 31.5 nC @ 10 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 200 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 7A (Tc) |
Grundproduktnummer | SPD07N |
SPD07N20 Einzelheiten PDF [English] | SPD07N20 PDF - EN.pdf |
SPD07N20 G INFINEON
INFINEON TO-252
IGBT Modules
MOSFET N-CH 800V 6A TO252-3
N-CHANNEL POWER MOSFET
SPD06N80C3 INFINEO
MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252-3
SPD07N20G I
INFINEON TO-252
INF TO-252
VBSEMI TO-252
SSR RELAY SPST-NO 5A 0-30V
MOSFET N-CH 800V 6A TO252-3
MOSFET N-CH 200V 7A TO252-3
INFINEON TO-252
SPD07N120 INFINEON
INFINEON TO-252
INFINEON TO-252
2024/07/9
2024/03/19
2024/01/31
2024/04/14
SPD07N20Infineon Technologies |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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